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Microchip TN2106K1-G 产品图片

Microchip TN2106K1-G

Microchip, TN2106系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TO-236封装

品牌
Microchip
型号
TN2106K1-G
产品分类
MOSFET
完整分类
电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
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RoHS
待确认
包装数量
20

Specifications

规格参数

核心规格通道类型 N / 最大连续漏极电流 280 mA / 最大漏源电压 60 V / 封装类型 TO-236 / 安装类型 表面贴装
典型应用MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购
通道类型N
最大连续漏极电流280 mA
最大漏源电压60 V
封装类型TO-236
安装类型表面贴装
引脚数目3
最大漏源电阻值5 Ω
通道模式增强
最大栅阈值电压2V
最小栅阈值电压0.6V
最大功率耗散360 mW
晶体管配置
最大栅源电压20 V
长度3.04mm
最高工作温度+150 °C