Vishay SQD19P06-60L_GE3
Vishay, SQ Rugged系列, 场效应管Mosfet, PMOS, DPAK (TO-252)封装
- 品牌
- Vishay
- 型号
- SQD19P06-60L_GE3
- 产品分类
- MOSFET
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
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- RoHS
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- 包装数量
- 10
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 通道类型 P / 最大连续漏极电流 11 A / 最大漏源电压 60 V / 封装类型 DPAK (TO-252) / 安装类型 表面贴装 |
|---|---|
| 典型应用 | MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 125 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1.5V |
| 最大功率耗散 | 46 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 高度 | 2.38mm |
| 长度 | 6.73mm |