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Vishay SI7121DN-T1-GE3 产品图片

Vishay SI7121DN-T1-GE3

Vishay, 场效应管Mosfet, PMOS, PowerPAK 1212-8封装

品牌
Vishay
型号
SI7121DN-T1-GE3
产品分类
MOSFET
完整分类
电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
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RoHS
待确认
包装数量
10

Specifications

规格参数

核心规格通道类型 P / 最大连续漏极电流 9.6 A / 最大漏源电压 30 V / 封装类型 PowerPAK 1212 / 安装类型 表面贴装
典型应用MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购
通道类型P
最大连续漏极电流9.6 A
最大漏源电压30 V
封装类型PowerPAK 1212
安装类型表面贴装
引脚数目8
最大漏源电阻值26 mΩ
通道模式增强
最小栅阈值电压1V
最大功率耗散27.8 W
晶体管配置
最大栅源电压-25 V、+25 V
每片芯片元件数目1
高度1.07mm
长度3.15mm