Vishay SI2367DS-T1-GE3
Vishay, 场效应管Mosfet, PMOS, SOT-23封装
- 品牌
- Vishay
- 型号
- SI2367DS-T1-GE3
- 产品分类
- MOSFET
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
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- 包装数量
- 50
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 通道类型 P / 最大连续漏极电流 2.2 A / 最大漏源电压 20 V / 封装类型 SOT-23 / 安装类型 表面贴装 |
|---|---|
| 典型应用 | MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 2.2 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 130 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 1.7 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 长度 | 3.04mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |