STMicroelectronics STH3N150-2
意法半导体, MDmesh系列, 场效应管Mosfet, NMOS, H2PAK-2封装
- 品牌
- STMicroelectronics
- 型号
- STH3N150-2
- 产品分类
- MOSFET
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
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- 包装数量
- 1000
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 通道类型 N / 最大连续漏极电流 2.5 A / 最大漏源电压 1500 V / 封装类型 H2PAK-2 / 安装类型 表面贴装 |
|---|---|
| 典型应用 | MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A |
| 最大漏源电压 | 1500 V |
| 封装类型 | H2PAK-2 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 9 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 140 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 长度 | 10.4mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |