STMicroelectronics STGW80H65DFB
意法半导体 IGBT, 最大 650 V, 最大 120 A
- 品牌
- STMicroelectronics
- 型号
- STGW80H65DFB
- 产品分类
- IGBT
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > IGBT
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- 包装数量
- 1
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 最大连续集电极电流 120 A / 最大集电极-发射极电压 650 V / 最大栅极发射极电压 ±20V / 最大功率耗散 469 W / 封装类型 TO-247 |
|---|---|
| 典型应用 | IGBT选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 最大连续集电极电流 | 120 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 469 W |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 长度 | 15.75mm |
| 宽度 | 5.15mm |
| 高度 | 20.15mm |
| 尺寸 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |