onsemi NVMFD6H852NLT1G
onsemi, 场效应管Mosfet, NMOS, DFN封装
- 品牌
- onsemi
- 型号
- NVMFD6H852NLT1G
- 产品分类
- MOSFET
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
- 库存
- 询价
- 交期
- 请咨询
- RoHS
- 待确认
- 包装数量
- 30
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 通道类型 N / 最大连续漏极电流 25 A / 最大漏源电压 80 V / 封装类型 DFN / 安装类型 表面贴装 |
|---|---|
| 典型应用 | MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 25 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | DFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 31.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 3.2 W |
| 晶体管配置 | 双路 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 长度 | 6.1mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |