onsemi FQA8N100C
onsemi, QFET系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TO-3PN封装
- 品牌
- onsemi
- 型号
- FQA8N100C
- 产品分类
- MOSFET
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
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- 包装数量
- 1
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 通道类型 N / 最大连续漏极电流 8 A / 最大漏源电压 1000 V / 封装类型 TO-3PN / 安装类型 通孔 |
|---|---|
| 典型应用 | MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 8 A |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 封装类型 | TO-3PN |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 1.45 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 225000 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 长度 | 15.8mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |