onsemi FDG6322C
onsemi, 场效应管Mosfet, N/PMOS, SOT-363封装
- 品牌
- onsemi
- 型号
- FDG6322C
- 产品分类
- MOSFET
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
- 库存
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- RoHS
- 待确认
- 包装数量
- 3000
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 通道类型 N，P / 最大连续漏极电流 220 mA，410 mA / 最大漏源电压 25 V / 封装类型 SOT-363 / 安装类型 表面贴装 |
|---|---|
| 典型应用 | MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 220 mA，410 mA |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 封装类型 | SOT-363 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 1.9 Ω、7 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.65V |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 长度 | 2mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 2 |