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onsemi FCP190N65S3 产品图片

onsemi FCP190N65S3

onsemi, 场效应管Mosfet, NMOS, TO-220封装

品牌
onsemi
型号
FCP190N65S3
产品分类
MOSFET
完整分类
电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
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RoHS
待确认
包装数量
10

Specifications

规格参数

核心规格通道类型 N / 最大连续漏极电流 17 A / 最大漏源电压 650 V / 封装类型 TO-220 / 安装类型 通孔
典型应用MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购
通道类型N
最大连续漏极电流17 A
最大漏源电压650 V
封装类型TO-220
安装类型通孔
引脚数目3
最大漏源电阻值190 mΩ
通道模式增强
最大栅阈值电压4.5V
最小栅阈值电压2.5V
最大功率耗散144 W
晶体管配置
最大栅源电压±30 V
每片芯片元件数目1
正向二极管电压1.2V