onsemi AFGB40T65SQDN
onsemi IGBT, 最大 650 V, 最大 80 A
- 品牌
- onsemi
- 型号
- AFGB40T65SQDN
- 产品分类
- IGBT
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > IGBT
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- 包装数量
- 2
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 最大连续集电极电流 80 A / 最大集电极-发射极电压 650 V / 最大栅极发射极电压 ±20V / 最大功率耗散 238 瓦 / 晶体管数 1 |
|---|---|
| 典型应用 | IGBT选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 最大连续集电极电流 | 80 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 238 瓦 |
| 晶体管数 | 1 |
| 封装类型 | D2PAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.58mm |
| 汽车标准 | AEC-Q101 |
| 额定能量 | 22.3mJ |
| 栅极电容 | 2495pF |
| 最高工作温度 | +175 °C |