IXYS IXFN132N50P3
IXYS, HiperFET, Polar3系列, 场效应管Mosfet, NMOS, SOT-227封装
- 品牌
- IXYS
- 型号
- IXFN132N50P3
- 产品分类
- MOSFET
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
- 库存
- 询价
- 交期
- 请咨询
- RoHS
- 待确认
- 包装数量
- 1
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 通道类型 N / 最大连续漏极电流 112 A / 最大漏源电压 500 V / 封装类型 SOT-227 / 安装类型 螺丝安装 |
|---|---|
| 典型应用 | MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 112 A |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 封装类型 | SOT-227 |
| 安装类型 | 螺丝安装 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 39 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最大功率耗散 | 1.5 kW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 长度 | 38.23mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |