Infineon IRF7343TRPBF
英飞凌, IRF7343PbF系列, 场效应管Mosfet, N/PMOS, SO-8封装
- 品牌
- Infineon
- 型号
- IRF7343TRPBF
- 产品分类
- MOSFET
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
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- RoHS
- 待确认
- 包装数量
- 4000
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 通道类型 N，P / 最大连续漏极电流 3.4 A，4.7 A / 最大漏源电压 55 V / 封装类型 SO-8 / 安装类型 表面贴装 |
|---|---|
| 典型应用 | MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 3.4 A，4.7 A |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 封装类型 | SO-8 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.065 Ω 、 0.17 Ω |
| 通道模式 | 消耗 |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 长度 | 5mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.3 nC @ 10 V、24 nC @ 10 V |