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Infineon IQE006NE2LM5CGATMA1 产品图片

Infineon IQE006NE2LM5CGATMA1

英飞凌, 场效应管Mosfet, NMOS, PQFN 3 x 3封装

品牌
Infineon
型号
IQE006NE2LM5CGATMA1
产品分类
MOSFET
完整分类
电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
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RoHS
待确认
包装数量
2

Specifications

规格参数

核心规格通道类型 N / 最大连续漏极电流 298 A / 最大漏源电压 25 V / 封装类型 PQFN 3 x 3 / 安装类型 表面贴装
典型应用MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购
通道类型N
最大连续漏极电流298 A
最大漏源电压25 V
封装类型PQFN 3 x 3
安装类型表面贴装
引脚数目8
每片芯片元件数目1