Infineon IPG20N10S4L22ATMA1
英飞凌, CoolMOS系列, 场效应管Mosfet, NMOS, SuperSO8 5 x 6 双封装
- 品牌
- Infineon
- 型号
- IPG20N10S4L22ATMA1
- 产品分类
- MOSFET
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
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- RoHS
- 待确认
- 包装数量
- 5000
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 通道类型 N / 最大连续漏极电流 20 A / 最大漏源电压 100 V / 封装类型 SuperSO8 5 x 6 双 / 安装类型 表面贴装 |
|---|---|
| 典型应用 | MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | SuperSO8 5 x 6 双 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.022. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 晶体管材料 | 硅 |
| 系列 | CoolMOS |