Infineon IPD082N10N3GATMA1
英飞凌, OptiMOS 3系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TO-252封装
- 品牌
- Infineon
- 型号
- IPD082N10N3GATMA1
- 产品分类
- MOSFET
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
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- RoHS
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- 包装数量
- 10
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 通道类型 N / 最大连续漏极电流 80 A / 最大漏源电压 100 V / 封装类型 TO-252 / 安装类型 表面贴装 |
|---|---|
| 典型应用 | MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | TO-252 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0082 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 系列 | OptiMOS 3 |