Infineon IMZ120R090M1HXKSA1
英飞凌, IMZ1系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TO-247-4封装
- 品牌
- Infineon
- 型号
- IMZ120R090M1HXKSA1
- 产品分类
- MOSFET
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
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- 包装数量
- 1
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 通道类型 N / 最大连续漏极电流 26 A / 最大漏源电压 1200 V / 封装类型 TO-247-4 / 安装类型 通孔 |
|---|---|
| 典型应用 | MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 26 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | TO-247-4 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 90 米Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 系列 | IMZ1 |