Infineon IMBG65R022M1HXTMA1
英飞凌, 场效应管Mosfet, NMOS, TO-263-7封装
- 品牌
- Infineon
- 型号
- IMBG65R022M1HXTMA1
- 产品分类
- MOSFET
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
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- 包装数量
- 1
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 通道类型 N / 最大连续漏极电流 64 A / 最大漏源电压 650 V / 封装类型 TO-263-7 / 安装类型 表面贴装 |
|---|---|
| 典型应用 | MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 64 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-263-7 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 7 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |