Infineon IAUT260N10S5N019ATMA1
英飞凌, OptiMOS™-5系列, 场效应管Mosfet, NMOS, hsof － 8封装
- 品牌
- Infineon
- 型号
- IAUT260N10S5N019ATMA1
- 产品分类
- MOSFET
- 完整分类
- 电子元件、电源及连接器 > 半导体 > 分立半导体 > MOSFET
- 库存
- 询价
- 交期
- 请咨询
- RoHS
- 待确认
- 包装数量
- 2
Specifications
规格参数
| 核心规格 | 通道类型 N / 最大连续漏极电流 260 A / 最大漏源电压 100 V / 封装类型 hsof － 8 / 安装类型 表面贴装 |
|---|---|
| 典型应用 | MOSFET选型、设备配套、维修备件和项目批量采购 |
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 260 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | hsof － 8 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0019. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.8V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 系列 | OptiMOS™-5 |